1. Descripción general del producto
Materiales centrales:
Carburo de silicio (Sic) : Semiconductor de BandGap ancho (3.2EV), alto-resistente a la temperatura (≤1600 ℃), alta conductividad térmica (120-490 W/metro·K)y resistente al choque térmico.
Nitruro de silicio (Si₃n₄) : Aislante de cerámica (Ancho de brecha de banda 4.5EV), alta resistencia mecánica (resistencia a la flexión> 800MPA), resistencia a la oxidación (≤1400 ℃)y bajo coeficiente de expansión térmica (3.2×10⁻⁶/℃).
Ventajas combinadas: SIC sirve como el elemento sensible del termopar, mientras que Si₃n₄ actúa como la vaina protectora/capa aislante, mejorando conjuntamente alto-Estabilidad de temperatura y resistencia a la corrosión.
2. Parámetros de rendimiento clave
Condiciones de prueba de rango de índice de parámetros
Rango de medición de temperatura: -50 ℃ a 1800 ℃, largo-operación estable a término ≤1600 ℃
Grado de precisión ± 0.5%t o ±1.5 ℃, calibrado a 1000 ℃
Tiempo de respuesta < 3 seconds (bare wire) / < 8 seconds (with sleeve) Step temperature change (500℃→600℃)
Salida de potencial termoeléctrico: 10-50 MV/℃, compatible con S-tipo y b-Escriba termopares
Resistencia a aislamiento ≥100 mΩ (a 1000 ℃), Voltaje de prueba 500VDC
La resistencia de voltaje de resistencia es ≥5 kV/mm, y el grosor de la carcasa si₃n₄ es de 1 mm
3. Explicación detallada de las propiedades del material
Elemento termopar de carburo de silicio
Tipo de dopaje: N-tipo (nitrógeno-dopado) o P-tipo (aluminio-dopado), con un coeficiente de Seebeck que puede llegar a 200-400 μV/K.
Resistencia a la corrosión: resistente a la erosión por metales fundidos (Al, CU) y gases ácidos (SO₂, HCL).
Ser-Características de calibración: SIC tiene una mejor estabilidad de la red que los termopares de metal (p.ej. K tipo) a altas temperaturas, con una tasa de deriva de < 0.1%/1000h@1200 ° C.
Estructura protectora denitruro de silicio
Multi-diseño de capas
Capa densa: 99.5% pureza si₃n₄, porosidad < 0.5%, preventing slag penetration.
Capa porosa: 20-30% porosidad, aliviando el estrés térmico (Tiempos de ciclo térmico> 5,000 veces).
Tratamiento de interfaz: sic-SI₃N₄ Capa de transición de gradiente para reducir las microgrietas causadas por el desajuste de expansión térmica.
4. Diseño de estructura de producto
Modelo estándar:
Tipo de alambre desnudo: Φ0.5-Cable SIC de 1.0 mm, directamente expuesto al entorno de medición (con un ambiente inerte requerido).
Tipo blindado: cable sic + Capa de aislamiento de MgO + Manga si₃n₄ (diámetro exterior Φ3-6 mm), Bable para la instalación.
Variante especial:
Multi-Medición de temperatura puntual: un solo tubo integra múltiples pares de uniones SiC, con una resolución espacial de ±2 mm.
Transmisión inalámbrica: construida-En el módulo Lora, duración de la batería> 3 años (En un entorno inferior a 800 ℃).
5. Ventajas sobre los termopares tradicionales
Características: sic/Si₃n₄ termopar - Termopar de metal (como el tipo B)
Temperatura de funcionamiento máxima: 1800 ℃ (corto-término) - 1820 ℃ (platino-Rhodium es volátil)
La propiedad antioxidanteno requiere gas protector (utilizado en el aire), peronecesita h₂/Protección AR (> 1500 ℃)
Resistencia mecánica: anti-flexión (Manga si₃n₄). El cable de platino es propenso a la rotura
El costo-La vida útil de los beneficios es de más de 2 años (Para la medición continua de la temperatura del acero fundido)y el platino-La pareja de Rodium debe ser reemplazada un promedio de 1.2 veces al año